SICK S200 Instrucciones De Servicio página 74

Capítulo 11
74
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Datos técnicos
Entrada EDM
Resistencia de entrada en nivel lógico alto
(HIGH)
Tensión para nivel lógico alto (HIGH)
Tensión para nivel lógico bajo (LOW)
Capacitancia de entrada
Intensidad de entrada estática
Entrada modo standby
Resistencia de entrada en nivel lógico alto
(HIGH)
Tensión para nivel lógico alto (HIGH)
Tensión para nivel lógico bajo (LOW)
Capacitancia de entrada
Intensidad de entrada estática
OSSDs
Pareja de salidas de aviso
Tensión de corte nivel lógico alto (HIGH) a
250 mA
Tensión de corte nivel lógico bajo (LOW)
Fuente de corriente conmutada
13)
Corriente de fuga
Inductancia de carga
Capacidad de carga
Secuencia de maniobra (sin conmutación)
Resistividad admisible
Anchura de pulso de test
Frecuencia de test
Tiempo de conmutación de las OSSDs de
rojo a verde
Asincronía al conectar las OSSDs entre
OSSD2 y OSSD1
11)
Válido para tensiones entre U
12)
Durante un breve intervalo ( 100 ms) se admiten corrientes de carga hasta 500 mA.
13)
En caso de error (interrupción del cable de 0 V) fluye como máximo la corriente de fuga en el cable OSSD. El
elemento de control conectado a continuación debe detectar este estado como nivel lógico bajo (LOW). Un
FPLC (controlador lógico programable de seguridad) debe detectar este estado.
14)
Limitar a este valor la resistividad de cada hilo con respecto al elemento postconectado, con el fin de que se
detecte con seguridad un cortocircuito entre las salidas. (Observe además la EN 60 204V1.)
15)
Las salidas se prueban siempre cíclicamente en estado activo (breve conmutación nivel lógico bajo (LOW)). Al
seleccionar los elementos de control postconectados hay que asegurarse de que los pulsos de test no causen
una desconexión.
12)
14)
15)
y 0 V.
v
Instrucciones de servicio
Mínimo Típico
2 k
11 V 24 V
–3 V 0 V
15 nF
6 mA
2 k
11 V 24 V
–3 V 0 V
15 nF
6 mA
2 semiconductores PNP, a prueba de
11)
cortocircuitos , con supervisión de
cortocircuitos entre las salidas de
conmutación
U – 2,7 V
V
0 V 0 V
6 mA
230 µs
120 ms
120 ms
8011693/TL61/2009-12-10
S200
Máximo
30 V
5 V
15 mA
30 V
5 V
15 mA
U
V
3,5 V
0,25 A
250 µA
2,2 H
2,2 µF a
50
1
5 /
s
2,5
300 µs
2 ms