Especificaciones de unidades de E/S básicas y de alta densidad.
Limitaciones de unidad de E/S de alta densidad
A continuación se muestran las limitaciones de la capacidad de conmutación de las unidades de salida transistor
C200H-OD215/MD115/MD215 y el número de puntos de E/S utilizables de C200H-ID215 y C200H-MD215.
Capacidad de conmutación
La capacidad de conmutación de las unidades de salida transistor C200H-OD215/MD115/MD215 depende de la
tensión de la fuente de alimentación, como se muestra a continuación.
Unidad de E/S TTL C200H-MD501
utilizada para 16 entradas y 16 salidas estáticas
Especificaciones de salida
(Conector 1)
Especificaciones de entrada
(Conector 2)
Especificaciones generales
100
50
16
0
0
4,5
10
Tensión de alimentación (V)
Capacidad de conmutación
máx.
Corriente de fuga
Tensión residual
Tiempo de respuesta a ON
Tiempo de respuesta a OFF
Nº de circuitos
Fusibles
Alimentación para suministro
externo
Tensión nominal de entrada
Impedancia de entrada
Corriente de entrada
Tensión de ON
Tensión de OFF
Tiempo de respuesta a ON
Tiempo de respuesta a OFF
Nº de circuitos
Entradas de alta velocidad
Consumo de corriente interna
Peso
20,4
26,4
5 Vc.c.¦10% 35 mA (280 mA/común,
560 mA/unidad; resistencia de salida 4,7 kΩ)
0,1 mA máx.
0,4 V máx.
0,2 ms máx.
0,3 ms máx.
2 (8 puntos/común)
2 (1 fusible/común; no pueden ser cambiados por
el usuario).
20 mA 5 Vc.c.¦10% mín. (1,2 mA × nº de salidas
en ON)
5 Vc.c. ¦10%
1,1 kΩ
3,5 mA típica (a 5 Vc.c.)
3,0 Vc.c. mín.
1,0 Vc.c. máx.
2,5 ms/15 ms máx. (seleccionable)
2,5 ms/15 ms máx. (seleccionable)
2 (8 puntos/común)
8 puntos (conector 2, terminales 8 a 15, cuando
están seleccionados)
Anchura de pulso: 1 ms/4 ms mín. (seleccionable)
180 mA 5 Vc.c. máx.
300 g máx.
Apéndice A
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