RS Pro RS-155 Manual De Instrucciones página 31

Analizador para componentes semiconductores/ España
3-11.Mosfets
Mosfet significa Transistor de efecto de campo de
semiconductor de óxido de metal. Al igual que los transistores
bipolares,Mosfets dispone de dos tipos de versiones principales:
canal N y canal P. La mayoría de Mosfets modernos son del
tipo de Modo de Mejora, lo que significa que la polarización
del voltaje de la compuerta-fuente siempre es positiva (para
tipos de canal N). El otro tipo (más raro) de Mosfet es el tipo de
Modo de agotamiento que se describe en una sección posterior.
describe una característica clave de estos dispositivos, una región de puerta aislada que
da como resultado una corriente de puerta insignificante para los voltajes tanto positivos
como negativos de la fuente de puerta (hasta los valores máximos permitidos, por
supuesto, típicamente ± 20V).
La primera pantalla que se muestra proporciona información
sobre el tipo de Mosfet detectado. Al presionar OFF / Page,
se generará el pinout del Mosfet. La puerta, fuente y drenaje
están identificados.
Una característica importante de un Mosfet es la tensión
umbral de la fuente de la compuerta y la tensión de la
compuerta-fuente a partir de la cual comienza la conducción
entre la fuente y el desagüe. El umbral de la puerta se muestra
siguiendo la información del pinout.
El Modo de agotamiento Mosfet extrano/raro es muy similar al FET de unión convencional
(JFET), excepto que el terminal de puerta está aislado de los otros dos terminales. La
resistencia de entrada de estos dispositivos típicamente puede ser mayor que 1000MQ
para voltajes de puerta negativos y positivos.
Los dispositivos del modo de agotamiento se caracterizan por
la tensión de la fuente de compuerta requerida para controlar la
corriente de la fuente de drenaje.
Los dispositivos modernos de modo de agotamiento generalmente solo están disponibles
en las variedades de canal N y conducirán la corriente entre sus terminales de drenaje y
fuente, incluso con un voltaje cero aplicado a través de la puerta y la fuente. El dispositivo
solo se puede apagar completamente al tomar su puerta significativamente más negativa
que su terminal fuente.
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Es esta característica la que los hace tan similares a los JFETS convencionales.
Presionando OFF / Page hará que se muestre la pantalla de
Mejora Mod N-Ch
MOSFET
pinout.
3-12. Los intersectores FETS
Son transistores de efecto de campo convencionalesEl voltaje aplicado a través de los
terminales de la puerta de entrada controla la corriente entre los terminales de drenaje y
fuente. Los JFETS de canal N requieren un voltaje negativo en su compuerta con respecto
a su fuente, mientras más negativa sea la tensión, puede fluir menos corriente entre el
drenaje y la fuente.
A diferencia de Mosfets de modo de agotamiento, los JFETS
no tienen una capa de aislamiento en la puerta. Esto significa
que aunque la resistencia de entrada entre la puerta y la
fuente es normalmente muy alta, la corriente de la puerta
Rojo Verde Azul
puede aumentar si la unión del semiconductor entre la puerta
Gate Drn Srce
y la fuente o entre la puerta y el desagüe se polarizan hacia
adelante. Esto puede suceder si el voltaje de la compuerta es
aproximadamente 0.6V más alto que los terminales de drenaje
PuertaUmbral Vgs
o fuente para dispositivos de canal N o 0.6V sean menores que
= 3.47V
el drenaje o fuente para dispositivos de canal P.
Corriente de prueba
La estructura interna de JFETS es esencialmente simétrica con
ld = 2.50mA
respecto a la puertaterminal, esto significa que los terminales
de drenaje y de fuente son indistinguibles por el Tester. Pero sin
embargo, se puede indentificar el tipo de JFET y el terminal de
puerta.
3-13.Tiristores
Los tiristores sensibles de baja potencia (rectificadores controlados de silicio-scrs) y los
Modo de
triacs que requieren corrientes de compuerta y corrientes de retención de menos de 5 mA
agotamiento N-CH
Mosfet se pueden identificar y analizar con el comprobador.
Los terminales del tiristor son: el ánodo, el cátodo y la puerta.
El pinout del tiristor bajo prueba se mostrará en la siguiente
pulsssación del botón OFF / Página.
05/12/2017 Versión No. 001 05/12/2017 Versión No. 001
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Rojo Verde Azul Drn
Gate Srce
Intersectores FET
de canal P
Drenaje y fuente no
identificados
Puerta Rojo, Verde
.Azul
Tiristor sensible o
de poca potencia
Rojo Verde Azul
Gate AnodCath
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