RS Pro RS-155 Manual De Instrucciones página 25

Analizzatore di componenti semiconduttori/ Italiano
3-9 Caduta di tensione base-emettitore
Vengono visualizzate le caratteristiche CC della giunzione base-emettitore, sia la caduta di
tensione diretta dell'emettitore di base che la corrente di base utilizzata per la misurazione.
La caduta di tensione diretta dell'emettitore base può essere
di aiuto nell'identificazione di dispositivi al silicio o germanio. I
dispositivi al germanio possono avere tensioni base-emettitore
di soli 0,2 V, i tipi di silicio mostrano letture di circa 0,7 V e i
transistor Darlington possono mostrare letture di circa 1,2 V a
causa delle molteplici giunzioni base-emettitore da misurare.
3-10. Corrente di dispersione del collettore
La corrente del collettore che si verifica quando il non scorrimento della corrente di base
viene indicato come corrente di dispersione. Il transistor più moderno esibisce valori
estremamente bassi di corrente di dispersione, spesso inferiore a 1μA, anche per tensioni
di collettore-emettitore molto elevate.
I tipi di germanio più vecchi tuttavia possono soffrire di una
corrente di dispersione significativa del collettore, in particolare
a temperature elevate (la corrente di dispersione può essere
molto dipendente dalla temperatura).
Se il transistor è di tipo al silicone, è necessario prevedere una corrente di dispersione
vicina a 0,00 mA, a meno che il transistor non sia difettoso.
3-11.Mosfets
Mosfet è l'acronimo di Metal OxideSemiconductor Field Effect
Transistor. Come i transistor bipolari, i Mosfet sono disponibili
in due tipi principali: N-Channel e P-Channel. I Mosfet più
moderni sono di tipo Enhancement Mode, il che significa
che l'inclinazione della tensione del gate-fonte, è sempre
positiva (per i tipi Canale N). L'altro tipo (più raro) di Mosfet è
il tipo Modalità di esaurimento che è descritto in una sezione
successiva.
Mosfet di tutti i tipi sono talvolta noti come Igfets, ovvero transistor con effetto di campo
gate isolato. Questo termine descrive una caratteristica chiave di questi dispositivi, una
regione di gate isolata che risulta in una corrente di gate trascurabile per tensioni gate-
fonte sia positive che negative (fino ai valori massimi consentiti naturalmente, tipicamente
± 20V).
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La prima schermata da visualizzare fornisce informazioni sul
tipo di Mosfet rilevato. Premendo OFF / Page verrà visualizzata
la disposizione dei pin del Mosfet visualizzato. Il gate, la fonte
e lo scarico sono identificati hanno una identificazione per
Tensione B-E Vbe=
ciascuno
0,72 V
Una caratteristica importante di un Mosfet è la tensione
di soglia gate-fonte e la tensione gate-fonte a cui inizia
Tensione B-E Vbe=
la conduzione tra fonte e scarico. La soglia del gate viene
0,72 V
visualizzata seguendo le informazioni del pin.
Il Mosfet a modalità esaurimento, piuttosto raro, è molto simile al JET FET tradizionale
(JFET) tranne per il fatto che il terminale di gate è isolato dagli altri due terminali. La
resistenza di ingresso di questi dispositivi può essere in genere superiore a 1000 MQ per
tensioni gate-fonte negative e positive.
Corrente di
dispersione IC=
I dispositivi in modalità esaurimento, sono caratterizzati dalla
0,15 mA
tensione gate-fonte richiesta per controllare la corrente della
scarico-fonte.
I dispositivi moderni a modalità esaurimento, sono generalmente disponibili solo nelle
varietà N-Channel e condurranno corrente tra i suoi terminali di scarico e fonte, anche
con una tensione zero applicata al gate e alla fonte. Il dispositivo può essere disattivato
completamente solo tenendo il gate significativamente più negativo rispetto al terminale
Miglioramento
MOSFET N-Ch della fonte. È questa caratteristica che li rende simili ai JFETS convenzionali.
Premendo la pagina OFF/Page , sarà mostrato lo schermo dei
pin.
3-12. I FET di Giunzione sono transistor ad effetto di campo convenzionali
La tensione applicata ai terminali gate-fonte controlla la corrente tra i terminali di scarico
e fonte. I JFET a canale N richiedono una tensione negativa sul loro gate rispetto alla
loro sorgente, più la tensione è negativa, meno corrente può fluire tra scarico e fonte. A
differenza dei Mosfet in modalità di esaurimento, i JFET non hanno uno strato isolante sul
gate. Ciò significa che, sebbene la resistenza di ingresso tra gate e source sia normalmente
13/08/2017 Version No. 001 13/08/2017 Version No. 001
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Fonte Drn Gate rosso
verde blu
Soglia Gate Vgs =
3,47 V.
Corrente Test ld =
2,50 mA
Mosfet N-CH a
modalità esaurimento
Giunzione Canale P
FET
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