RS Pro RS-155 Manual De Instrucciones página 13

Analyseur de composants semi-conducteurs/ Francais
3-7.Faulty or very Low Gain Transistors
Des transistors défectueux présentant un gain très faible
peuvent amener le testeur à n'identifier qu'une ou plusieurs
jonctions de diodes dans le dispositif. C'est parce que les
transistors NPN se composent d'une structure de jonctions qui
se comportent comme un réseau commun de diodes d'anode.
Les transistors PNP peuvent sembler être des réseaux à
diode cathodique. La jonction commune représente une base
terminale. Ceci est normal dans les situations où le gain est si
faible qu'il est incommensurable par le testeur.
Dans certaines circonstances, l'appareil peut ne pas être
capable de déduire quoi que ce soit de sensible. Dans ce cas,
vous verrez l'un de ces messages
3-8. Le Gain (HFE)
Le gain continu (HFE) est affiché après l'affichage de toutes les caractéristiques spéciales
du transistor.
Le gain de tous les transistors peut varier considérablement
avec le collecteur, il y a la tension du collecteur et aussi la
température. La valeur affichée pour le gain peut ne pas être
représentée et aussi pour les tensions du collecteur. Ceci est
particulièrement vrai pour les gros appareils.
Les transistors Darlington peuvent avoir des valeurs de gain très élevées et une plus
grande variation de gain sera évidente à la suite de cela.
De plus, il est tout à fait normal que des transistors du même type aient une large gamme
de valeurs de gain. Pour cette raison, les circuits à transistors sont souvent conçus de telle
sorte que leur fonctionnement dépend peu de la valeur absolue du gain.
La valeur affichée du gain est cependant très utile pour comparer des transistors d'un type
similaire à des fins d'appariement de gain ou de recherche par défaut.
3-9.Chute de tension de Base-Emetteur
Les caractéristiques DC de la jonction base-émetteur sont affichées, la chute de tension
directe de l'émetteur double base et l'actuelle base utilisée pour la mesure.
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La chute de tension de base-émetteur vers l'avant peut faciliter
l'identification des dispositifs en silicium ou en germanium.
Réseau commun de
Les dispositifs au germanium peuvent avoir des tensions de
diodes d'anode
base-émetteur aussi faibles que 0,2 V, les types de silicium
présentent des lectures d'environ 0,7 V et les transistors
Darlington peuvent présenter des lectures d'environ 1,2 V en
raison des multiples jonctions de base-émetteur mesurées.
3-10.Collecteur de fuite
L'actuel collecteur se produit quand il n'existe aucune circulation,et cela est appelé fuite.
Les transistors les plus modernes présentent des valeurs de fuite extrêmement faibles,
souvent inférieures à 1 μA, même pour des tensions de collecteur-émetteur très élevées.
Composant inconnu
/ défectueux
Les types de germanium plus anciens peuvent cependant
Aucun composant
souffrir d'une fuite de collecteur important, en particulier à
détecté
des températures élevées (cette fuite peut dépendre de la
température).
Si votre transistor est de type silicium, vous devriez vous attendre à voir une fuite proche
de 0,00 mA sauf si le transistor est défectueux.
Gain d'actuel HFE
3-11.Mosfets
= 119
Mosfet est l'abréviation de Metal Oxide de Semiconducteur lié
au Transistor. Comme les transistors bipolaires, les Mosfets
Test lc=2.50mA
sont disponibles en deux types principaux, le canal-N et le
canal-Pl. Les Mosfets les plus modernes sont du type en mode
Enhancement , ce qui signifie que le biais de la tension est
toujours positif (pour les types du canal-N). L'autre type (plus
rare) de Mosfet est le type en mode de suppression qui est
décrit dans une section ultérieure.
Les Mosfets de tous les types sont parfois appelés Igfets, ce qui signifie «transistor
à porte isolée». Ce terme décrit une caractéristique clé de ces dispositifs, la partie de
la porte isolée qui se traduit par une porte négligeable pour les tensions positives et
négatives (jusqu'aux valeurs maximales autorisées, bien sûr, typiquement ± 20V).
Le premier écran à afficher donne des informations sur le type
de Mosfet détecté. Si vous appuyez sur OFF / Page, le brochage
du Mosfet s'affiche. La source et le drain sont chacun identifiés
05/12/2017 Version No. 001 05/12/2017 Version No. 001
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Tension B-E Vbe =
0.72V
Test IB=4.48mA
L'actuelle fuite IC =
0.15mA
MOSFET du
canal N en mode
Enhancement
La porte de Drain et
de Source Rouge
vert bleu
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