RS Pro RS-155 Manual De Instrucciones página 30

Analizador para componentes semiconductores/ España
El Tester puede detectar la derivación de la resistencia si tiene una resistencia
normalmente inferior a 60 kΩ.
El popular transistor Darlington Motorola TIP110 NPN contiene resistencias internas entre
la base y el emisor.
Cuando la unidad detecta la presencia de un shunt resistivo
entre la base y el emisor, la pantalla mostrará:
Además, el comprobador le advertirá que la precisión de
la medición de ganancia (HFE) se ha visto afectada por la
resistencia de derivación.
3-7. Transistores de ganancia defectuosas o muy baja
Los transistores defectuosos que exhiben una ganancia muy
baja pueden hacer que el probador identifique solo una o más
uniones de diodos dentro del dispositivo.
Debido a que los transistores NPN consisten en una estructura
de uniones que se comportan como una red común de diodos
de ánodo. Los transistores PNP pueden parecer redes de diodos
catódicos comunes. La unión común representa la terminal
base. Esto es normal para situaciones donde la ganancia actual
es tan baja que es inconmensurable en las corrientes de prueba
utilizadas por el Tester.
En algunas circunstancias, es posible que la unidad no pueda
deducir algo sensato desde el dispositivo. En cuyo caso, podrás
ver cualquiera de estos mensajes:
3-8. Ganancia de corriente (HFE)
La ganancia de corriente DC (HFE) se aparece después de que se hayan mostrado las
características especiales del transistor.
La ganancia de todos los transistores puede variar
considerablemente con la corriente del colector, el voltaje del
colector y también la temperatura. El valor mostrado para
la ganancia, por lo tanto, puede no representar la ganancia
experimentada en otras corrientes y voltajes del colector. Esto
es particularmente cierto para dispositivos grandes.
53
Los transistores Darlington pueden tener valores de ganancia muy altos y, como resultado,
será más evidente la variación de la ganancia.
Además, es bastante normal que los transistores del mismo tipo tengan una amplia gama
de valores de ganancia. Por esta razón, los circuitos de transistores a menudo están
diseñados de modo que su operación tiene poca dependencia.
Resistor Shunt entre
El valor absoluto de la ganancia actual.
B-E
El valor de ganancia mostrado es muy útil, sin embargo, para comparar transistores de un
HFE no precisa
tipo similar con el propósito de emparejar la ganancia o encontrar fallas.
debido a B-E Res
3-9. Caída de voltajeBase-Emitter
Se muestran las características de DC de la unión base-emisor, tanto la caída de tensión
directa del emisor base como la corriente de base utilizada para la medición.
Ánodo común de
red de diodos
La caída de tensión del emisor base puede ayudar a identificar
dispositivos de silicio o germanio. Los dispositivos de germanio
pueden tener voltajes base-emisor tan bajos como 0.2V, los
tipos de silicio exhiben lecturas de aproximadamente 0.7V
y los transistores Darlington pueden exhibir lecturas de
aproximadamente 1.2V debido a las múltiples uniones base-
emisor que se están midiendo.
Componente
3-10. Corriente de fuga del colector
desconocido/
La corriente del colector que tiene lugar cuando no fluye corriente base se denomina
defectuoso
Corriente de fuga. La mayoría de los transistores modernos exhiben valores
Ningún componente
extremadamente bajos de corriente de fuga, a menudo menos de 1μA, incluso para
detectado
voltajes de colector-emisor muy altos.
Sin embargo, los tipos de germanio más antiguos pueden sufrir
una importante corriente de fuga del colector, en particular
Ganancia actual /
a altas temperaturas (la corriente de fuga puede ser muy
de corriente
HFE = 119
dependiente de la temperatura).
Corriente de prueba
Si su transistor es de tipo Silicio, debería esperar ver una corriente de fuga cercana a
lc = 2.50mA
0.00mA ,a menos que el transistor esté defectuoso.
05/12/2017 Versión No. 001 05/12/2017 Versión No. 001
Analizador para componentes semiconductores/ España
Tensión B-E Vbe =
0.72V
Corriente de prueba
IB= 4.48mA
corriente de fuga
IC=0,15 mA
54