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5. TECHNISCHE EIGENSCHAFTEN
Die Genauigkeit ist für 1 Jahr garantiert bei 23 °C ± 5 °C und relativer Feuchtigkeit bis 80 %
5.1. GLEICHSTROMSPANNUNG
BEREICH
DISKRETHEIT
200mV
0.1mV
2V
1mV
20V
10mV
200V
100mV
1000V
1V
Eingangsimpedanz: 10 MOhm
Überlastschutz: 1000 V DC oder RMS-750 VAC
Maximale Eingangsspannung: 1000 V DC
5.3. TEMPERATUR
BEREICH
DISKRETHEIT
-40 ~
1°C
1370°C
Mit K-Typ-Thermoelement
5.5 WECHSELSTROM
BEREICH
DISKRETHEIT
20mkA
10nA
200mkA
100A
2mA
1mkA
20mA
10mkA
200mA
100mkA
2A
1mA
20A
10mA
Protection surcharge:
mA: Fusible de 0.5A/250V
20A: Sans fusible
Chute tension: 200mV
Rang de fréquence: 40Hz ~ 400Hz
Reponse: Promedio, calibrage en rms d´ onde sensorielle
5.8. DIODEN UND INTEGRITÄT DES SCHALTKREISES
BEREICH
BESCHREIBUNG
Ein ungefährer Span-
nungsabfall wird im
Vorwärtsstrommodus
angezeigt.
Eingebauter Summer er-
zeugt einen Klang, wenn
der Widerstand kleiner
ist als 30 ± 20 Ohm.
Überlastschutz: 250 V DC/RMS Wechselstrom
5.10. FREQUENZ
BEREICH
DISKRETHEIT
2KHz
1Hz
20KHz
10Hz
Überlastschutz: 250 V DC/RMS Wechselstrom
5.2. WECHSELSTROMSPANNUNG
ABWEICHUNG
± (0,5 % von dem Wert
+ 3 Bits)
± (0,8 % von dem Wert
+ 5 Bits)
± (1,0 % von dem Wert
Eingangsimpedanz: 10 MOhm
+ 5 Bits)
Frequenzbereich: 40 Hz ~ 400 Hz
Überlastschutz: 1000 V DC oder RMS-750 VAC
Antwort: der Mittelwert, der im Effektivwert der Sinuswelle kalibriert wurde
Maximale Eingangsspannung: Effektivwert 750 V AC
5.4. GLEICHSTROM
ABWEICHUNG
-40°C~150°C:±(1.0%
+ 4)
150°C~1370°C:±(1.5%
+ 15)
ABWEICHUNG
± (2,0 % von dem Wert
+ 5 Bits)
Überlastschutz:
mA: Sicherung 0,5 A/250 V
5.6. ÜBERPRÜFUNG DES HFE - TRANSISTORS
± (2,0 % von dem Wert
+ 3 Bits)
± (2,0 % von dem Wert
+ 5 Bits)
5.7 WIDERSTAND
± (2,5 % von dem Wert
+ 10 Bits)
KOMMENTAR
Leerlaufs-
pannung : ca.
Leerlaufspannung: ca. 0,5 V (für den Bereich von 200 MOhm – 3 V)
2,8 V
Überlastschutz: 250 V DC/RMS Wechselstrom
5.9. KAPAZITÄT
Leerlaufs-
pannung : ca.
2,8 V
ABWEICHUNG
± (3 % von dem Wert
+ 5 Bits)
Überlastschutz: Sicherung 0,5 A/250 V
· 16 ·
BEREICH
DISKRETHEIT
200mV
0.1mV
2V
1mV
20V
10mV
200V
100mV
750V
1V
BEREICH
DISKRETHEIT
20mkA
10nA
200mkA
100nA
2000mkA
1mkA
20mA
10mkA
200mA
100mkA
2A
1mA
20A
10mA
20 A: ohne Sicherung
Spannungsabfall: 200 mV
BEREICH
HFE
PRÜFSTROM
PNP und
0~1000
Ib≈10mkA
NPN
BEREICH
DISKRETHEIT
200 Ohm
0.1 Ohm
2 KOhm
1 Ohm
20 KOhm
10 Ohm
200 KOhm
100 Ohm
2 MOhm
1 KOhm
20 MOhm
10 KOhm
200 MOhm
100 KOhm
BEREICH
DISKRETHEIT
2nF
1pF
20nF
10pF
200nF
100pF
2mkF
1nF
20mkF
10nF
200mkF
100nF
ABWEICHUNG
± (1,2 % von dem Wert + 5 Bits)
± (1,0 % von dem Wert + 5 Bits)
± (1,2 % von dem Wert + 5 Bits)
ABWEICHUNG
± (1,8 % von dem Wert + 2 Bits)
± (2,0 % von dem Wert + 2 Bits)
± (2,0 % von dem Wert +10
Bits)
PRÜFSPANNUNG
Vce≈2.8V
ABWEICHUNG
± (1,0 % von dem Wert + 10 Bits)
± (1,0 % von dem Wert + 4 Bits)
± (1,0 % von dem Wert + 10 Bits)
± [5%*(Wert-10) + 10 Bits)
ABWEICHUNG
± (4 % von dem Wert +
5 Bits)
