SICK WTM4SP-A00 Serie Instrucciones De Uso página 224

Fotocélula miniatura
Idiomas disponibles
  • ES

Idiomas disponibles

  • ESPAÑOL, página 68
INSTRUKCJA EKSPLOATACJI
Dane elektryczne
Napięcie zasilające U
Tętnienie resztkowe
Pobór prądu
Klasa ochrony
1)
Wartości graniczne
Przyłącza U
zabezpieczone przed zmianą polaryzacji
B
Tętnienie resztkowe maks. 5 V
wyjście cyfrowe
Prąd wyjściowy I
Układy zabezpieczające
Czas odpowiedzi
dokładność powtarzalności (czas odpowiedzi)
Częstotliwość przełączania
1)
A = przyłącza U
B =wejścia i wyjścia zabezpieczone przed zamianą biegunów
C = tłumienie impulsów zakłócających
2)
Czas biegu sygnału przy obciążeniu rezystancyjnym
3)
Obowiązuje dla Q\ na styku 2, jeśli skonfigurowano w oprogramowaniu
4)
Ze współczynnikiem jasno/ciemno 1:1
Dane mechaniczne
Stopień ochrony
Temperatura otoczenia podczas pracy
pl
11.2
尺寸图
224
I N S T R U K C J A E K S P L O A T A C J I | WTM4S
B
ss
maks.
zabezpieczone przed zamianą biegunów
B
12.1
(0.48)
3
1
2
4
Rysunek 13: WTx4SP
,导线接口
Preferowany kierunek materiału pomiarowego
1
WTM4S
DC 10 ... 30 V
1)
≤ 5 Vpp
25 mA
III
WTM4S
≤ 100 mA
A, B, C
1)
≤ 500 µs(MultiMode 1, 2, 3)
≤ 1000 µs(MultiMode 4, 5)
≤ 15 ms(MultiMode 1 + 6)
150 µs(MultiMode 1, 2, 3)
350 µs(MultiMode 4, 5)
3)
5 ms(MultiMode 1 + 6
3)
1000 Hz(MultiMode 1, 2, 3)
500 Hz(MultiMode 4, 5)
4)
30 Hz(MultiMode 1 + 6)
4)
WTM4S
IP69K
-20C...+55 °C
18.6
5
8.9
(0.35)
12
(0.47)
Z zastrzeżeniem zmiany bez powiadomienia
2)
2)
2)
3)
4)
(0.73)
6
5
5
8028212/2023/10/20 | SICK
loading