Tabla de contenido
Leica Microsystems Heidelberg GmbH
3. Sobre la tapa de la fuente de alimentación
Para sistemas láser que emiten en un ámbito
espectral visible
(Ar/ ArKr/ Kr/ HeNe/ HeCd/ Diodo)
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 15 mW HeNe 633 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 400 mW ArKr 457-675 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 400 mW ARGON 457-514 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 400 mW KRYPTON 568 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 500 mW Ar-Kr-HeNe 457-633 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
< 500 mW Ar-Kr-HeNe-HeCd 442-633 nm
CLASS IIIb LASER PRODUCT
En un diodo láser externo de 405 nm (opcional / sustitución de UV):
Manual del usuario de Leica TCS SP2 español
Art. n.º: 159330056 / Vers.: 31102002
Indicaciones de seguridad
Para sistemas láser que emiten en un ámbito
espectral ultravioleta
(Ar-UV)
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