HP E ProLiant DL80 Gen9 Guía De Usuario página 87

Configuración de la duplicación de memoria
La duplicación ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra manera,
provocarían un período de inactividad en el servidor. La duplicación se realiza por canales, en un par
de canales de memoria que puede ser:
Los datos del canal 1 se duplican en el canal 2
Los datos del canal 3 se duplican en el canal 4
Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo, los datos se
recuperan desde el canal duplicado. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y el sistema
desactiva el canal que contiene el módulo DIMM que ha fallado.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
Instale módulos DIMM optimizados para el procesador instalado.
Para identificar el tipo de procesador instalado en el servidor, utilice la configuración del BIOS/
plataforma (RBSU) de las utilidades del sistema UEFI
en la página
Instale solo los módulos DIMM si se instala el procesador correspondiente.
No mezcle módulos LRDIMM y RDIMM.
Cuando hay un solo procesador instalado, se deben instalar los módulos DIMM en orden
secuencial alfabético: Ch 1-A, Ch 2-B, Ch 3-C, Ch 4-D.
Cuando hay dos procesadores instalados, se deben instalar los módulos DIMM en orden
secuencial alfabético equilibrados entre los dos procesadores: P1-A, P2-A, P1-B, P2-B, P1-C,
P2-C, P1-D, P2-D.
Para obtener más información acerca de la memoria del servidor, consulte la página web de
Hewlett Packard Enterprise (http://www.hpe.com/info/memory).
Directrices de ocupación de memoria ECC avanzada
Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM.
Es posible instalar los módulos DIMM de forma individual.
Directrices de ocupación del auxiliar en línea
Para las configuraciones del modo de memoria auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM.
Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida.
Cada canal puede tener una configuración auxiliar en línea válida distinta.
Cada canal ocupado debe disponer de un rango auxiliar. Un único módulo DIMM de rango
doble no es una configuración válida.
ESES
80).
(Identificación del tipo de procesador
Opciones de memoria
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