Arquitectura Del Subsistema De Memoria; Dimm De Rango Único, Rango Doble Y Cuatro Rangos - HP ProLiant DL380p Gen8 Guía De Usuario

rendimiento ajustado a los servidores HP ProLiant y BladeSystem y proporciona mayor
compatibilidad a través del software de gestión y HP Active Health.
Algunas funciones de rendimiento son exclusivas de HP SmartMemory. La memoria
HP SmartMemory de 1,35 V DDR3-1333 Registered se ha diseñado para lograr el mismo nivel de
rendimiento que la memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras que la industria admite RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, este servidor Gen8 admite RDIMM DDR3-1333 con hasta 3 memorias DIMM
por canal a 1066 MT/s funcionando a 1,35 V. Esto equivale hasta un 20 % menos de energía en el
nivel de DIMM sin penalización de rendimiento. Además, el sector admite módulos UDIMM a razón
de 2 módulos DIMM por canal a 1066 MT/s. HP SmartMemory admite 2 módulos DIMM por canal a
1333 MT/s, o un ancho de banda un 25 % mayor.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales, y cada canal admite tres ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente tabla.
Canal
1
2
3
4
Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM
(Ubicación de las ranuras DIMM en la página
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en línea.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de reserva).
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En la
ESES
Orden de ocupación
A
E
I
B
F
J
C
G
K
D
H
L
14)."
Número de ranura
12
11
10
9
8
7
1
2
3
4
5
6
Opciones de memoria 51