Función 46Bc. Detección De Conductor Roto; Función 49. Protección De Imagen Térmica - Fanox SIA-C Manual De Usuario

4.7. Función 46BC. Detección de conductor roto
Esta protección detecta el porcentaje de desequilibrio de fase debido a una condición de
fase abierta basándose en la medida de I2/I1 en porcentaje.
Función Descripción
Detección de conductor roto
46BC (*)
Permiso
Toma
Tiempo definido
(*) Opcional dependiendo del modelo.
Si la relación entre I2 e I1 (en términos de porcentaje es superior al ajuste de la función
durante el tiempo ajustado, ésta disparará.
La activación de la función se produce al 100% de la entrada ajustada y la desactivación al
95%. El tipo de rearme es instantáneo.
La precisión del tiempo de operación con el permiso ajustado a "SI" equivale al tiempo de
ajuste ±30 ms o ±0.5%.
4.8. Función 49. Protección de imagen térmica
La imagen térmica es una medida del calentamiento y del enfriamiento de una máquina
eléctrica. A diferencia de una protección de sobrecorriente, no se empieza a contar el
tiempo cuando se detecta una falta, sino que está de manera continua determinando el
estado térmico de la máquina que monitoriza. El tiempo de disparo depende de las
constantes térmicas ajustadas, de la intensidad que circula y del estado térmico previo de
la máquina.
La imagen térmica se calcula en base a la siguiente ecuación:
donde :
I, corriente r.m.s. máxima de las tres fases
I corriente de toma ajustada
t,
ζ, cte térmica
θ'
, estado térmico inicial
0
El tiempo de disparo viene dado por la ecuación:
La precisión de los tiempos de disparo es del 5% sobre el tiempo teórico.
El algoritmo utiliza la intensidad máxima de las tres corrientes de fase. Si la intensidad
máxima es superior al 15% de la toma ajustada , se aplica la constante térmica de
calentamiento. Si la intensidad máxima es inferior al 15% de la toma ajustada se aplica la
constante térmica de enfriamiento.
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Mínimo Máximo
- -
15 100
0.02 300.00
θ = 100 x (I/I x (1 – e
2
)
t
t = ζ x ln { [(I/I – (θ'
2
) / 100) ] / [(I/I
t 0
Rev. 37
Paso Unidad
Si/No -
1 %
0.01 s
) + θ'
-t/ζ -t/ζ
x e
0
2
) - 1] }
t
Defecto
No
0.50
0.02
65/219