Idiomas disponibles
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5. Assegnazione dei collegamenti
Fig. 1: A Meandri riscaldanti, B
attraverso il cristallo di Ge,
C Sensore di temperatura PT100
La procedura di montaggio del circuito stampato -
nell'apparecchio di base per effetto Hall nonché il
cablaggio della struttura sperimentale sono descritti
nelle istruzioni d'uso relative al suddetto apparecchio.
7. Cura e manutenzione
•
Per la pulizia utilizzare un pennello morbido,
evitare di toccare il cristallo con le dita.
•
Dopo l'uso, lasciare raffreddare e riporre nel
cartone originale.
8. Smaltimento
•
Non gettare il circuito stampato nei rifiuti
domestici. Per lo smaltimento delle apparecchi-
ature elettriche, rispettare le disposizioni vigenti a
livello locale.
L'imballo è realizzato in materiali ecologici e
riciclabili.
•
Smaltire presso i centri di raccolta e riciclaggio
locali.
Elwe Didactic GmbH • Steinfelsstr. 5 • 08248 Klingenthal • Germania • www.elwedidactic.com
3B Scientific GmbH • Rudorffweg 8 • 21031 Amburgo • Germania • www.3bscientific.com
Corrente campione
6. Uso
Con riserva di modifiche tecniche
© Copyright 2012 3B Scientific GmbH
9. Esperimenti
Misurazione della conducibilità in funzione della
temperatura
U / mV
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
300
350
Fig. 2 Tensione campione U in funzione della temperatura T
(Caduta di tensione sul cristallo di Ge con corrente campione
di 2 e 3 mA)
Grandezze di misura:
U
: Tensione campione (apparecchio di base)
P
T
: Temperatura campione (apparecchio di base)
P
Grandezze derivate:
I
σ
=
⋅
Conducibilità:
U
10
Temperatura assoluta in Kelvin:
σ
=
Rappresentazione:
ln
a temperature più elevate (conducibilità intrinseca)
vale infatti:
Eg 1
σ
=
σ
⋅
ln
ln
-
2
K
T
Eg ≈ 0,7 eV
eV
5 −
= ,
⋅
k
8
625
10
K
σ
ln ( / S/m)
6
5
4
3
2
1
0
0.0022
0.0024
0.0026
0.0028
Fig. 3 Conducibilità σ in funzione della temperatura assoluta T
I = 2 mA
I = 3 mA
400
450
T / K
20
mm
⋅
mm
1
mm
=
+
T
T
273,15
K
P
⎛
⎞
1
⎜
⎟
f
⎝
⎠
T
Banda proibita del Ge
Costante di Boltzmann
I = 2 mA
I = 3 mA
0.0030
0.0032
0.0034
1/ / 1/K
T
