Idiomas disponibles
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5. Anschlussbelegung
Fig. 1 A Heizmäander, B Probenstrom durch Ge-Kristall,
C PT100-Temperaturfühler
6. Bedienung
Der Einbau der Leiterplatte in das Hall-Effekt-Basis-
gerät sowie die Beschaltung des Experimentieraufbaus
ist in der Bedienungsanleitung zum Hall-Effekt-
Basisgerät beschrieben.
7. Pflege und Wartung
•
Zum Reinigen einen weichen Pinsel benutzen,
Kristall nach Möglichkeit nicht mit den Fingern
berühren.
•
Nach Benutzung und Abkühlung im Originalkarton
aufbewahren.
8. Entsorgung
•
Zur Verschrottung die Leiterplatte nicht in den
normalen Hausmüll geben. Es sind die lokalen
Vorschriften zur Entsorgung von Elektroschrott
einzuhalten.
Die Verpackung besteht aus umwelt-freundlichen und
recyclingfähigen Materialen.
•
Bei den örtlichen Recyclingstellen entsorgen.
Elwe Didactic GmbH • Steinfelsstr. 5 • 08248 Klingenthal • Deutschland •
3B Scientific GmbH • Rudorffweg 8 • 21031 Hamburg • Deutschland •
Messung der Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der
Temperatur
U / mV
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
Fig. 2 Probenspannung U in Abhängigkeit von der
Temperatur T (Spannungsabfall am Ge-Kristall bei 2 und 3
mA Probenstrom)
Messgrößen:
U: Probenspannung (Basisgerät)
T
: Probentemperatur (Basisgerät)
P
Abgeleitete Größen:
Leitfähigkeit:
Absolute Temperatur in Kelvin:
Darstellung:
denn
Leitfähigkeit) gilt:
σ
ln
Eg ≈ 0,7 eV
= ,
k
8
σ
ln ( / S/m)
6
5
4
3
2
1
0
0.0022
Fig. 3 Leitfähigkeit σ in Abhängigkeit von der absoluten
Temperatur T
Technische Änderungen vorbehalten
© Copyright 2012 3B Scientific GmbH
9. Experimente
300
350
I
20
σ
=
⋅
U
10
mm
⎛
⎞
1
σ
=
⎜
⎟
ln
f
⎝
⎠
T
bei
höheren
Temperaturen
Eg 1
=
σ
⋅
ln
-
2
K
T
Bandabstand des Ge
eV
5 −
⋅
625
10
Boltzmann-Konstante
K
0.0024
0.0026
0.0028
0.0030
www.elwedidactic.com
www.3bscientific.com
I = 2 mA
I = 3 mA
400
450
T / K
mm
⋅
1
mm
=
+
T
T
273,15
K
P
(intrinsische
I = 2 mA
I = 3 mA
0.0032
0.0034
1/ / 1/K
T
