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3B SCIENTIFIC ® PHYSICS
Bedienungsanleitung
03/12 ALF
1. Sicherheitshinweise
Der Ge-Kristall ist sehr bruchempfindlich:
•
Leiterplatte sorgfältig behandeln und keinen
mechanischen Belastungen aussetzen.
Die Probenleiterplatte kann während des Betriebs sehr
heiß werden (170°C). Verbrennungsgefahr!
•
Vor
dem
Ausbau
angemessene Abkühlzeit abwarten.
Wegen seines hohen spezifischen Widerstandes wird
der
Ge-Kristall
bereits
Probenstroms erwärmt.
•
Maximalen Probenstrom I = ±4 mA nicht über-
schreiten.
•
Steller für Probenstrom auf Mittelposition drehen.
Ge undotiert auf Leiterplatte 1008522
der
Leiterplatte
durch
Anlegen
Die Leiterplatte dient in Verbindung mit dem Hall-
Effekt-Basisgerät (1009934) zur Messung der Leitfähig-
keit von undotiertem Germanium in Abhängigkeit von
der Temperatur.
Die Leiterplatte ist mit einem Vielfachstecker bestückt
mit Kontakten für den Probenstrom, die Widerstands-
eine
heizung und den Temperaturfühler unter dem Kristall.
eines
1
Leiterplatte mit Ge- Kristall
1
Prüfprotokoll
1
Bedienungsanleitung
Maximaler Probenstrom:
Kristallabmessungen:
Abmessungen:
Masse:
1
1 Vielfachstecker
2 Abstandshalter
3 Heizmäander
4 Ge-Kristall, undotiert
5 PT100-Temperaturfühler
2. Beschreibung
3. Lieferumfang
4. Technische Daten
±4 mA
ca. 20 x 10 x 1 mm³
ca. 70 x 70 x 10 mm³
ca. 30 g
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Resumen de contenidos para 3B SCIENTIFIC PHYSICS 1008522
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- Página 2 5. Anschlussbelegung 9. Experimente Messung der Leitfähigkeit in Abhängigkeit von der Temperatur U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 Fig. 1 A Heizmäander, B Probenstrom durch Ge-Kristall, 1000 C PT100-Temperaturfühler 6. Bedienung T / K Fig.
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- Página 4 5. Pin assignment 9. Experiments Measurement of conductivity as a function of temperature U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 Fig. 1 A Heating element, B Sample current through 1000 germanium crystal, C PT100 thermocouple 6.
- Página 5 3B SCIENTIFIC ® PHYSIQUE Cristal de germanium non dopé sur circuit imprimé 1008522 Instructions d'utilisation 03/12 ALF 1 Connecteur multiple 2 Écarteur 3 Tuyaux capillaires de chauffage 4 Cristal de germanium non dopé 5 Sonde de température PT100 1. Consignes de sécurité...
- Página 6 5. Raccordement 9. Expériences Mesure de la conductivité en fonction de la température U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 1000 Fig. 1 A Tuyaux capillaires de chauffage, B Courant d'essai à travers le cristal de germanium, C Sonde de température PT100 T / K...
- Página 7 3B SCIENTIFIC ® PHYSICS Ge non drogato su circuito stampato 1008522 Istruzioni per l'uso 03/12 ALF 1 Connettore multiplo 2 Distanziatore 3 Meandri riscaldanti 4 Cristallo di Ge non drogato 5 Sensore di temperatura PT100 1. Avvertenze per la sicurezza 2.
- Página 8 5. Assegnazione dei collegamenti 9. Esperimenti Misurazione della conducibilità in funzione della temperatura U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 Corrente campione Fig. 1: A Meandri riscaldanti, B 1000 attraverso il cristallo di Ge, C Sensore di temperatura PT100 T / K 6.
- Página 9 3B SCIENTIFIC ® PHYSICS Ge-no-dopado sobre placa de circuito impreso 1008522 Instrucciones de uso 03/12 ALF 1 Enchufe múltiple 2 Distanciador 3 Meandro calefactor 4 Cristal de Ge-no-dopado 5 Sonda de temperatura PT100 1. Advertencias de seguridad 2. Descripción El cristal de Ge es muy quebradizo: La placa de circuito impreso, junto con el aparato básico de efecto Hall (1009934), sirve para la medición...
- Página 10 5. Empleo de los contactos 9. Experimentos Medición de la conductividad en dependencia con la tempertura U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 Fig. 1 A Meandro de caldeo, B Corriente de prueba a través 1000 del cristal de Ge, C Sonda de temperaturas PT100...
-
Página 11: Instruções De Operação
3B SCIENTIFIC ® PHYSICS Ge não dopado sobre placa condutora 1008522 Instruções de operação 03/12 ALF 1 Conector múltiplo 2 Suporte de distanciamento 3 Meandro de aquecimento 4 Cristal de Ge, não impurificado 5 PT100-Sensor de temperatura 1. Indicações de segurança 2. - Página 12 5. Atribuição de conexão 9. Experiências Medição da capacidade de condução em dependência da temperatura U / mV 3000 I = 2 mA 2500 I = 3 mA 2000 1500 Fig. 1 A Meandro de aquecimento, B Corrente de amostra 1000 através de cristal de Ge, C Sensor de temperatura PT100 6.