Idiomas disponibles
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5. Empleo de los contactos
Fig. 1 A Meandro de caldeo, B Corriente de prueba a través
del cristal de Ge,
C Sonda de temperaturas PT100
6. Manejo
La instalación de la placa de circuito impreso en el aparato
base del efecto Hall así como el cableado del montaje de
experimentación
se
encuentran
instrucciones de uso del aparato base para el efecto Hall.
7. Cuidado y mantenimiento
•
Para limpiar la unidad se utiliza un pincel muy
suave, en lo posible no tocar el cristal con los dedos.
•
Después de la utilización se deja enfriar y luego se
guarda en el cartón original.
8. Al desechar
•
Al desechar como chatarra, la placa de circuito
impreso no se debe deponer en los desechos
domésticos. Se deben cumplir las determinaciones
locales para el desecho de chatarra eléctrica.
El embalaje está compuesto de materiales no
contaminantes para el medio ambiente y reciclables.
•
Se desecha en los lugares locales para el reciclaje
de material eléctrico.
Elwe Didactic GmbH • Steinfelsstr. 5 • 08248 Klingenthal • Alemania •
3B Scientific GmbH • Rudorffweg 8 • 21031 Hamburgo • Alemania •
descritos
en
las
Nos reservamos el derecho a modificaciones técnicas
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9. Experimentos
Medición de la conductividad en dependencia con la
tempertura
U / mV
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
300
350
Fig. 2 Tensión de la muestra U en dependencia con la
temperatura T (Caída de temperatura en el cristal de Ge, con
corrientes de prueba de 2 mA y 3 mA)
Magnitudes de medida:
U
: Tensión de la muestra (aparato básico)
P
T
: Temperatura de la muestra (aparato básico)
P
Magnitudes derivadas:
I
σ
=
⋅
Conductividad:
U
Temperatura absoluta en Kelvin:
σ
=
Representación:
ln
ya que para altas temperaturas se tiene (conductividad
intrínseca):
Eg
1
σ
=
σ
⋅
ln
ln
-
2
K
T
Eg ≈ 0,7 eV
eV
−
=
⋅
5
k
8
,
625
10
K
σ
ln ( / S/m)
6
5
4
3
2
1
0
0.0022
0.0024
0.0026
0.0028
Fig. 3 Conductividad σ en dependencia con la temperatura
absoluta T
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I = 2 mA
I = 3 mA
400
450
T / K
20
mm
⋅
10
mm
1
mm
=
+
T
T
273,15
P
⎛
⎞
1
⎜
⎟
f
⎝
⎠
T
Ancho de banda del Ge:
Constante de Boltzmann
I = 2 mA
I = 3 mA
0.0030
0.0032
0.0034
1/ / 1/K
T
K
