A8. 分补或混补控制（适用于 Rvt12-3P 型号 - ABB RVT Serie Instrucciones De Instalación Y De Funcionamiento

A8. 分补或混补控制（适用于 RVT12-3P 型号）
注：混补在此指共补加分补。RVT12-3P 的 12 路输出可用于分补和共补，如果该控制器同时控
制单相和三相电容，则称为混补控制。
只有 RVT12-3P 三相型号具备分补和混补功能。
与基本型号功率因数的共补控制类似, 三相型号的分补/混补功能也是通过比较各相的启动电流
C/k 值与工频电流来实现功率因数控制。
功因控制因 CT 连接方式和所连接电容类型（单相或三相）的不同而不同。(见
补/分补 CT 连接类型说明和控制器端子上的
CT 连接方式说明 （亦可参见 38 页）
wPh- xLyz 定义说明 :
w ： 单相或三相网络
x： 电压测量个数
y： 定义相间（L-L）或相与中性线连接(L-N)
z : CT 个数
wPh-1Ly1 控制类型 (单 CT)
如果只有一个 CT， 那么控制基于 L1 （默认）的电流测量或该 CT 所在相。
3Ph-xLy2 和 3Ph-xLy3 控制类型 (有 2 或 3 CT)
如果使用了多于一个 CT，如下控制逻辑保证各段电容（单相或三相）得到有效投切。
不平衡负载的投切控制逻辑（按次序）:
在标准或积分投切模式下， 在投切延时期间计算 L1, L2 和 L3 各相无功电流。
判断需要投切的最小步进三相电容。
判断需要投切的最小步进单相电容。
如上所述，如果任何已投切或待投切单相电容可以转换为（或等效于）三相电容那么优先投切
三相电容。
按照直投/渐进或线性/循环所设定模式投切相应电容。
以下为一些典型示例:
- 12 段 单 相 电 容 投 切 控 制 / 单 CT (仅 限 于 1Ph-1LL1)
82 目录 ç RVT 功率因数控制器
CT 接线 )
A7.
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