Arquitectura Del Subsistema De Memoria; Módulos Dimm De Rango Único Y De Rango Doble; Identificación De Los Módulos Dimm - HPE ProLiant ML10 Guía De Usuario Del Servidor

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Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. El procesador admite dos canales,
y cada canal admite dos ranuras DIMM, como se muestra en la tabla siguiente:
Orden de ocupación
1
2
3
4
Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte Ubicación de las ranuras DIMM.
Módulos DIMM de rango único y de rango doble
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los módulos DIMM de rango único y de rango doble. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de rango único en el
mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 8 GB, un
módulo DIMM de rango doble tendría 16 GB.
Identificación de los módulos DIMM
Para determinar las características del módulo DIMM, utilice la etiqueta adherida al DIMM, y la tabla y la
ilustración siguientes.
8GB 1Rx4 DDR4-2133P-R
36
Arquitectura del subsistema de memoria
Canal
A
B
A
B
1
2
3
4
5
6
8GB 1Rx4 DDR4-2133P-R
7
Número de ranura
3C
1D
4A
2B
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