Tabla de contenido
Hasta cierto valor de V
constante y no depende de V
Para valores diferentes de V
El MOSFET antedicho es un FET de tipo mejorado. Se realza el canal dependiendo de V
Otra clase de MOSFET es el MOSFET de agotamiento/mejoramiento. En este tipo de MOSFET, un
canal de tipo-n se inyecta entre D y S.
Cuando V
=0V, el FET conduce. Cuando V
GS
acumulación de electrones en el material tipo-P cerca al canal-n.
Si proveemos un V
GS
conseguimos un área de agotamiento, que disminuye la corriente y la conductancia.
I
aumenta y viceversa. Después de que alcanza este valor, I
DS
D
. Depende solamente del ancho del canal, que depende de V
DS
conseguimos las características de salida siguiente.
GS
I
D
S
N
negativo, los electrones libres en el canal-n son rechazados bajo la puerta y
63
V
= 4A
GS
V
= 3A
GS
V
= 2A
GS
V
= 1A
GS
Figura 2-48
G
D
N
N
P
Figura 2-49
aumenta, la conductancia aumenta, debido a la
GS
V
DS
permanece
D
.
GS
.
GS
SES
Tabla de contenido
