Tabla de contenido
Podemos ver cómo I
1)
La región de SATURACIÓN. En este rango V
2)
La región LINEAL. En este rango I
formula
I
β
=
C
3)
La región de CORTE. Dentro de este rango, I
2.1.3
Un transistor plano de silicio
Anteriormente, el transistor bipolar se producía mediante la inyección de impurezas al material
semiconductor en ambos lados.
Es muy difícil obtener resultados precisos y la producción es complicada. Los transistores de
germanio aún se fabrican de esta manera.
El silicio tiene una característica que el germanio carece. Cuando el aire caliente fluye sobre el
silicio, una delgada capa de óxido de silicio (S
aislante y es completamente impenetrable. La producción de semiconductores se basa en esta
característica. Una rebanada de silicio se cubre con óxido de silicio. Se crean huecos en lugares
donde las impurezas se deben difundir. Las rebanadas se colocan dentro de un horno con gas de
impurezas el cual se difunde a través de los hoyos. Posteriormente aire caliente se fluye nuevamente
sobre la rebanada y se cubre nuevamente con óxido de silicio.
depende de I
y V
C
B
CE
.
I
⋅
B
E
21
. En esta gráfica podemos encontrar tres regiones:
< 0.2V (V
CE
no depende de V
C
e I
son muy pequeñas.
B
C
B
Figura 2-8
O
) lo cubre. El óxido de silicio es un muy buen
i
2
sat) y
I
β
=
⋅
CE
C
, sino de I
conforme a la
CE
B
C
.
I
B
SES
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