•
Rellene todos los sockets primero con lengüetas de liberación blancas, seguido por los que tienen las
lengüetas negras y, a continuación, las lengüetas de liberación verdes.
•
Al combinar módulos de memoria con distintas capacidades, ocupe primero y de forma ordenada los
sockets con los módulos de memoria de mayor capacidad. Por ejemplo, si desea combinar módulos
de memoria de 4 GB y 8 GB, introduzca los módulos de memoria de 8 GB en los sockets con
lengüetas de liberación blancas y los módulos de memoria de 4 GB en los sockets con lengüetas de
liberación negras.
•
En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador
debe ser idéntica. Por ejemplo, si utiliza el socket A1 para el procesador 1, utilice también el socket B1
para el procesador 2 y así sucesivamente.
•
Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización
de la memoria (por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 4 GB y 8 GB).
•
No se admite la mezcla de más de dos capacidades de módulos de memoria en un sistema.
•
Rellene 4 módulos de memoria por procesador (1 DIMM por canal) cada vez para maximizar el
rendimiento.
Pautas específicas de los modos
Cada procesador tiene asignados cuatro canales de memoria. Las configuraciones permitidas dependen
del modo de memoria seleccionado.
Código de corrección de errores avanzado (lockstep)
El modo del código de corrección de errores avanzado (ECC) amplía SDDC de módulos DIMM basados
en módulos DRAM x4 a DRAM x4 y x8. Esta ampliación supone protección ante errores de chip DRAM
sencillos durante el funcionamiento normal.
Las pautas de instalación para los módulos de memoria son las siguientes:
•
Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y
tecnología.
•
Los módulos DIMM instalados en sockets de memoria con palancas de liberación blancas deben ser
idénticos. La misma regla se aplica a los sockets con pestañas de liberación negras. Se garantiza así
que se instalen módulos DIMM idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4,
A5 con A6 y así sucesivamente.
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite Single Device Data Correction (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) sólo
para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4. No impone requisitos específicos en
cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar habilitada en System Setup
(Configuración del sistema).
En este modo, se reserva para sustitución un banco por canal. Si se detectan errores persistentes y
reparables en un banco, sus datos se copian en el banco de sustitución y se deshabilita el banco en el
que se producen los errores.
Si la sustitución de memoria está habilitada, la memoria del sistema disponible para el sistema operativo
se reduce a un rango por canal. Por ejemplo, en una configuración de dos procesadores con 16 módulos
de memoria de rango único de 4 GB, la memoria del sistema disponible es: 3/4 (rangos/canal) x 16
(módulos de memoria) x 4 GB = 48 GB, en lugar de 16 (módulos de memoria) x 4 GB = 64 GB.
NOTA: La sustitución de memoria no ofrece protección frente a errores irreparables de varios bits.
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