TABLA 3: Declaración del fabricante. Inmunidad electromagnética
El microFET®3 está diseñado para su uso en el entorno electromagnético especificado
a continuación. El cliente o el usuario del microFET®3 deben asegurarse de que se
utilice en un entorno de este tipo.
Prueba de
Nivel de prueba
inmunidad
RF radiada
CEI 61000-4-3
NOTA 1: A 80 MHz y 800 MHz, se aplica el intervalo de frecuencia más alto.
NOTA 2: Estas pautas pueden no ser aplicables en todas las situaciones. La propaga-
ción electromagnética se ve afectada por la absorción y la reflexión de estructuras,
objetos y personas.
IFU 02.ES.A ECO-0835
CEI 60601
conformidad
3 V/m
De 80 MHz a
2,5 GHz
(80 % AM,
1 kHz)
Nivel de
Entorno electromagnético.
Los equipos de comunicaciones de
RF portátiles y móviles no deben
utilizarse más cerca de cualquier
parte del microFET®3, incluidos los
cables, que la distancia de separa-
ción recomendada calculada a partir
de la ecuación adecuada para la
frecuencia del transmisor.
Distancia de separación
recomendada
Para 80 MHz
���� = 1,17√����
a 800 MHz
Donde P es la potencia nominal
máxima de salida del transmisor en
3 V/m
vatios (W) según el fabricante del
transmisor y d es la distancia de
separación recomendada en metros
(m).
Las intensidades de campo de los
transmisores de RF fijos, determi-
nadas mediante un estudio electro-
magnético del centro
inferiores al nivel de conformidad
en cada intervalo de frecuencia
Pueden producirse interferencias en
las proximidades de equipos mar-
cados con el siguiente símbolo:
Orientación
Para 800 MHz
���� = 2,33√����
a 2,3 GHz
, deben ser
a
27|
Página
.
b
