Lenovo ThinkSystem SR665 V3 Guía De Mantenimiento página 370

Memoria
Consulte para obtener información detallada sobre la preparación y configuración de la memoria.
• Ranuras: 24 ranuras de módulo de memoria dual en línea (DIMM) (12 canales por procesador, 1 DIMM por canal)
• Tipos de módulo de memoria:
– TruDDR5 RDIMM: 16 GB (1Rx8), 32 GB (2Rx8)
– TruDDR5 10x4 RDIMM: 32 GB (1Rx4), 64 GB (2Rx4)
– TruDDR5 9x4 RDIMM: 32 GB (1Rx4), 64 GB (2Rx4)
– TruDDR5 3DS RDIMM: 128 GB (4Rx4), 256 GB (8Rx4)
• Capacidad:
– Mínimo: 16 GB (1 RDIMM de 16 GB)
– Máximo: 6 TB (24 3DS RDIMM de 256 GB)
• Velocidad: 4800 MT/s
Para ver una lista de módulos de memoria admitidos, consulte
Unidades internas
• Bahías de unidad frontales:
– Hasta 24 unidades SAS/SATA/NVMe de 2,5" de intercambio en caliente
– Hasta 12 unidades SAS/SATA de 3,5" de intercambio en caliente
– Hasta 4 unidades NVMe de 3,5" de intercambio en caliente
• Bahías de unidad de la unidad central:
– Hasta 8 unidades SAS/SATA/NVMe de 2,5" de intercambio en caliente
– Hasta 4 unidades SAS/SATA de 3,5" de intercambio en caliente
• Bahías de unidad posteriores:
– Hasta 8 unidades SAS/SATA de 2,5" de intercambio en caliente
– Hasta 4 unidades SAS/SATA de 3,5" de intercambio en caliente
– Hasta dos unidades de 7 mm
• Hasta dos unidades M.2 internas
Ranuras de expansión
• Hasta 10 ranuras PCIe
• Una ranura del módulo OCP
La disponibilidad de la ranura PCIe se basa en la selección de la tarjeta de expansión y en la selección de la bahía de
unidad posterior. Consulte "Vista posterior" en la Guía del usuario o la Guía de configuración del sistema y
PCIe y adaptadores PCIe" en la página
360
Guía de mantenimiento del hardware de ThinkSystem SR665 V3
https://serverproven.lenovo.com/
8.
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"Ranuras