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Tabla 17. Reglas de ocupación de memoria (continuación)
Procesador
Doble procesador
(comenzando con el
procesador 1, la ocupación de
los procesadores 1 y 2 debe
coincidir)
● Primero, ocupe todos los zócalos con lengüetas de seguridad blancas y, a continuación, los que tienen lengüetas negras.
● Se pueden combinar módulos de memoria de distinta capacidad si se siguen otras reglas de utilización de la memoria.
NOTA:
Por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 8 GB y 16 GB.
● No se admite la mezcla de más de dos capacidades de módulos de memoria en un sistema.
● La configuración de memoria desequilibrada o impar provoca una pérdida de rendimiento y es posible que el sistema no identifique los
módulos de memoria que se instalan, por lo que siempre se deben ocupar los canales de memoria idénticamente, con DIMM idénticos,
para obtener el mejor rendimiento posible.
● Las configuraciones de RDIMM/LRDIMM soportadas son 1, 2, 4, 6, 8, 12 o 16 DIMM por procesador.
Memoria persistente Intel serie 200 (BPS)Pautas para la instalación
de la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS)
A continuación, se indican las pautas recomendadas para instalar módulos de la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS):
● Cada sistema soporta un módulo de Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) como máximo por canal.
NOTA:
Si se combinan dos capacidades diferentes de la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) se muestra una advertencia
de F1/F2, ya que la configuración no es soportada.
● Memoria persistente Intel serie 200 (BPS)La Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) se puede combinar con RDIMM, LRDIMM y
LRDIMM 3DS.
● No es posible combinar tipos de DIMM DDR4 (RDIMM, LRDIMM y LRDIMM 3DS) dentro de canales, en el caso de la controladora de
memoria integrada (iMC), o entre conectores.
● No es posible combinar los modos de funcionamiento (modo de aplicación directa, modo de memoria) de la Memoria persistente Intel
serie 200 (BPS).
● Si solo hay un DIMM en un canal, el DIMM debe estar siempre en la primera ranura de ese canal (ranura blanca).
● Si hay una Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) y un DIMM DDR4 en el mismo canal, siempre conecte la Memoria persistente
Intel serie 200 (BPS) en la segunda ranura (ranura negra).
● Si la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) está configurada en el modo de memoria, la relación de capacidad recomendada entre
la DDR4 y la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) es de 1:4 a 1:16 por iMC.
● Memoria persistente Intel serie 200 (BPS)La Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) no se puede combinar con otras capacidades
de Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) ni con NVDIMM.
● No es posible combinar diferentes capacidades de RDIMM y LRDIMM cuando la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) está
instalada.
● Memoria persistente Intel serie 200 (BPS)No se permiten Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) de capacidades diferentes.
● El arranque de VMware ESXi tarda más tiempo cuando se configura una mayor capacidad de la Memoria persistente Intel serie 200
(BPS) en el modo de aplicación directa. Esto es de esperar, ya que se está realizando la limpieza del rango de direcciones (ARS) en
segundo plano en los conjuntos de intercalación y se debe completar antes de que el almacén de datos pMem se monte en ESXi.
● En el modo de aplicación directa (AP), los conectores se pueden ocupar de forma simétrica o asimétrica.
● En el modo de memoria (MM), los conectores se pueden ocupar de manera simétrica.
● El modo de memoria no se soporta en las configuraciones de 6 + 1, 8 + 1 y 12 + 2, independientemente de la relación de capacidad
entre la DDR y la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS).
● En el entorno VMware ESXI, si se cambia el objetivo de BPS entre el modo de aplicación directa y el modo de memoria, se recomienda
borrar la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) antes de crear un objetivo nuevo.
● Coloque la Memoria persistente Intel serie 200 (BPS) en la ranura de DIMM 1, a menos que la Memoria persistente Intel serie 200
(BPS) sea el único DIMM en ese canal y, luego, ocupe la ranura de DIMM 0.
Configuración
Orden de ocupación
del optimizador (canal
independiente)
Ocupación de la memoria
A{1}, B{1}, A{2}, B{2}, A{3},
B{3}, A{4}, B{4}, A{5}, B{5},
A{6}, B{6}, A{7}, B{7} A{8},
B{8}, A{9}, B{9}, A{10}, B{10},
A{11}, B{11}, A{12}, B{12},
A{13}, B{13}, A{14}, B{14},
A{15}, B{15}, A{16}, B{16}
Instalación y extracción de los componentes del sistema
Información de ocupación
de memoria
Se permiten 2, 4, 8, 12, 16, 24 y
32 DIMM por sistema.
NOTA:
El orden de
ocupación del optimizador
no es el tradicional
para instalaciones de
procesador doble de
8 y 16 módulos DIMM.
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