Optimización del cabezal de
NanoSpray III
En este apartado se describe cómo optimizar el rendimiento del cabezal de NanoSpray
específico.
¡ADVERTENCIA! Peligro por láser. Siga exactamente este procedimiento para
evitar la exposición a radiación láser peligrosa.
¡ADVERTENCIA! Peligro por superficies calientes. No toque el riel de alta
tensión ni la punta de emisión.
¡ADVERTENCIA! Peligro de descarga eléctrica. No utilice nunca la fuente
de iones NanoSpray
bien instalados. No toque nunca la placa de chapa ni deje que la punta
de emisión entre en contacto con esta. Cuando el espectrómetro de masas
está operativo y la fuente de iones instalada, hay alta tensión en la placa
de chapa, incluso aunque se aleje la unidad de posicionamiento X-Y-Z de
la interfaz.
En este procedimiento se supone que las coordenadas XYZ están ajustadas en los valores optimizados registrados
durante la prueba. En caso de que se hubieran modificado los valores de XYZ (por ejemplo, durante la sustitución
de la punta de emisión), ajústelos en los valores optimizados con cuidado de no golpear la punta de emisión
contra la placa de chapa.
En este apartado se describe cómo optimizar el rendimiento del cabezal de NanoSpray
específico.
Nota: Para obtener información sobre las pruebas de instalación de las fuentes de iones OptiFlow
®
NanoSpray
, consulte Pruebas de la fuente de iones, especificaciones y archivo de registro,
disponible en sciex.com/customer-documents.
1. Inicie el software Analyst
2. En el modo Tune and Calibrate, haga doble clic en Manual Tune y abra el método optimizado en
las pruebas de la fuente de iones.
3. Establezca la Interface Heater Temperature (IHT) en 75 °C.
Nota: Para la aplicación de la fuente de iones NanoSpray
se optimiza entre 50 °C y 100 °C. A pesar de que temperaturas mayores generan una pulverización algo
mejor, también reducen la duración de la punta de emisión.
Fuente de iones NanoSpray
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®
sin el iluminador, la cámara, el tope y las cubiertas
®
®
/Analyst
TF.
®
®
, la temperatura del calentador de la interfaz
RUO-IDV-05-0811-ES-G
5
®
III para un compuesto
®
III para un compuesto
TM
y
Guía del operador