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Acerca de la memoria
La placa lógica principal del sistema incorpora dieciséis ranuras para módulos
DIMM (dual inline memory modules) de alta capacidad. El sistema soporta módulos
de memoria estándar de Sun, de 144 contactos, 5 voltios y 60 nanosegundos. Se
pueden instalar en el sistema módulos de 16, 32, 64, 128 y 256 Mb de capacidad. La
capacidad total de memoria del sistema varía entre 64 Mb y 4 Gb.
Las ranuras de memoria están agrupadas en cuatro bancos; cada uno de ellos
comprende cuatro ranuras. El sistema lee o escribe en los cuatro DIMM de un banco
al mismo tiempo. Por lo tanto, se deben agregar los DIMM de cuatro en cuatro en un
mismo banco. En la figura siguiente se muestran los bancos de memoria en la placa
lógica principal.
Cuando los bancos A y B están ocupados con DIMM de la misma capacidad, las
lecturas y escrituras de la memoria se efectúan de forma intercalada entre los dos
bancos. Este método se denomina intercalado de doble vía. El intercalado de doble
vía reduce significativamente la latencia media de la memoria, aumentando por
tanto el rendimiento total del sistema. El intercalado de doble vía también se
produce si los bancos C y D están ocupados con DIMM de la misma capacidad.
Cuando los cuatro bancos contienen DIMM de idéntica capacidad, el sistema efectúa
el intercalado en los cuatro bancos (se denomina intercalado de cuádruple vía),
reduciendo aún más la latencia media de la memoria.
D
Bancos de memoria
B
C
Bancos de memoria
A
Capítulo 4
Configuración del hardware
51
Capítulos
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