Tabla de contenido
Potencia máxima (Pmax)
Tensión de circuito abierto (Voc)
Tensión de cortocircuito (Isc)
Tensión a la máxima potencia (Vpm)
Corriente a la máxima potencia (Ipm)
Número de células en serie
Tipo de célula
Tensión máxima del sistema (Vsys)
Amperaje máximo de protección contra sobrecorriente
Diodo de derivación instalado de fábrica
Largo x ancho x alto
Peso
Heterounión de silicio*: Silicio monocristalino/heterounión de silicio amorfo
Vista frontal
Sección A-A'
Sección B-B'
Figura 1-3. Dimensiones del panel (VBHNxxxSJ47)
Tabla 1-3. Especificaciones del modelo
Modelo
+10/-0 %
±10 %
≧90 %
Vista
6
VBHN325SJ47
W
325
V
69,6
A
6,03
V
57,6
A
5,65
uds.
96
Heterounión de silicio*
V
1000
A
15
uds.
4
mm
1590 x 1053 x 35
kg
19
Vista trasera
* Todos los orificios son simétricos respecto del centro del panel.
Nota: Los paneles se instalan utilizando un montaje simétrico de 4
puntos dentro de un margen de ajuste (zona sombreada).
Dimensiones en mm
Tabla de contenido
