Potencia máxima (Pmax)
Tensión de circuito abierto (Voc)
Tensión de cortocircuito (Isc)
Tensión a la máxima potencia (Vpm)
Corriente a la máxima potencia (Ipm)
Número de células en serie
Tipo de célula
Tensión máxima del sistema (Vsys)
Amperaje máximo de protección contra sobrecorriente
Diodo de derivación instalado de fábrica
Largo x ancho x alto
Peso
Heterounión de silicio*: Silicio monocristalino/heterounión de silicio amorfo
Vista frontal
Sección A-A'
Sección B-B'
Figura 1-2. Dimensiones del panel (VBHNxxxSJ46)
Tabla 1-2. Especificaciones del modelo
Modelo
+10/-0 %
W
±10 %
≧90 %
uds.
uds.
mm
kg
Vista
5
VBHN300SJ46
300
V
63,8
A
6,04
V
53,1
A
5,65
88
Heterounión de silicio*
V
1000
A
15
4
1463 x 1053 x 35
18
Vista trasera
* Todos los orificios son simétricos respecto del centro del panel.
Nota) Los paneles se instalan utilizando un montaje simétrico de 4
puntos dentro de un margen de ajuste (zona sombreada).
Dimensiones en mm