HURAKAN ICF35DX4 Manual De Instrucciones página 6

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DE
Achtung, trennen Sie das Gerät nicht sofort nach Gebrauch vom Netz. Die
4.
Zwangslüftung des Induktionsherdes wird für eine Minute zur korrekten Kühlung des
Geräts weiter betrieben. Erst dann trennen Sie das Gerät von der Hauptstromquelle.
5.
Trennen Sie immer den Induktionsherd nach Beendigung der Arbeit vom Stromnetz.
Eine tägliche Reinigung der Metall- und Glaselemente des Geräts wird empfohlen.
6.
5.
FEHLERCODES
CODE
FEHLER
Zentrale Steuereinheit
E0
defekt
E1
Kein Kochgeschirr
Zu niedrige
E2
Versorgungsspannung
Versorgungsspannung zu
E3
hoch
Stromkreisunterbrechung
E4
oder Kurzschluss des
Temperatursensors
6.
SCHUTZVORRICHTUNGEN
Dieses Kochfeld ist speziell für den professionellen Einsatz konzipiert.
Überspannungsschutz
1.
Wenn die Spannung der Stromversorgung von 80 bis 280 V variiert, erfolgen die
Kochfeldeinstellungen und die Einstellung der erforderlichen Leistung automatisch.
Wenn die Spannung außerhalb des angegebenen Bereichs liegt, wechselt der Herd
automatisch in den Standby-Modus.
Überhitzungsschutz
2.
Der Temperatursensor überwacht die Temperatur im Kochfeld. Wenn der Sensor eine
Überhitzung erfasst, geht der Herd automatisch in den Standby-Modus.
3.
Erkennung von kleinen Objekten
Wenn ein Geschirr mit einem Durchmesser von weniger als 80 mm oder kleine
Gegenstände (Messer, Gabel, Zange, Schlüssel usw.) in Kontakt mit der Oberfläche
des Kochfelds kommen, ertönt ein Warnton.
4.
Kein Geschirr oder ungeeignetes Geschirr
Wenn der Kochtopf während des Kochens vom Herd genommen wird oder für den
Gebrauch nicht geeignet ist, funktioniert der Herd nicht und es erscheint ein
Fehlercode auf dem Bildschirm.
5.
Schutzabschaltung
Wenn das laufende Kochfeld innerhalb von 2 Stunden keine Befehle empfängt, wird
sie automatisch ausgeschaltet.
6
CODE
FEHLER
Fehler in der Funktion der Platine
E5
oder der zentralen Steuereinheit
Stromüberlastung
E6
Stromkreisunterbrechung
Kurzschluss des Bipolartransistors
E7
mit
(IGBT)
Überhitzung der Keramikplatte
E8
Überhitzung des Bipolartransistors
E9
mit
(IGBT)
isolierter
Gate-Elektrode
isolierter
Gate-Elektrode
oder
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