Tabla de contenido
Tabla 27. Reglas de ocupación de memoria (continuación)
Procesador
Procesador doble
(comenzando con el
procesador 1, la ocupación de
los procesadores 1 y 2 debe
coincidir)
● Primero, ocupe todos los conectores con lengüetas de seguridad blancas y, a continuación, los que tienen lengüetas negras.
● Se pueden combinar módulos de memoria de distinta capacidad si se siguen otras reglas de utilización de la memoria.
NOTA:
Por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 8 GB y 16 GB.
● No se admite la mezcla de más de dos capacidades de módulos de memoria en un sistema.
● La configuración de memoria desequilibrada o impar provoca una pérdida de rendimiento y es posible que el sistema no identifique los
módulos de memoria que se instalan, por lo que siempre se deben ocupar los canales de memoria idénticamente, con DIMM idénticos,
para obtener el mejor rendimiento posible.
● Las configuraciones de RDIMM/LRDIMM compatibles son 1, 2, 4, 6, 8, 12 o 16 DIMM por procesador.
Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)Pautas para la
instalación de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)
A continuación, se indican las pautas recomendadas para la instalación de módulos de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS):
● Cada sistema admite un máximo de un módulo de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) por canal.
NOTA:
Si se combinan dos capacidades diferentes de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS), se muestra una
advertencia de F1/F2, ya que la configuración no es compatible.
● Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)Se puede combinar Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) con RDIMM,
LRDIMM y 3DS LRDIMM.
● No se pueden combinar tipos de DIMM DDR4 (RDIMM,RDIMM y LRDIMM 3DS) dentro de canales, para la controladora de memoria
integrada (iMC) o a través de conectores.
● No se admite la combinación de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) (modo de aplicación directa, modo de memoria).
● Si solo se ocupa un DIMM en un canal, siempre se debe ocupar la primera ranura de ese canal (ranura blanca).
● Si se ocupan una Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) y una DIMM de DDR4 en el mismo canal, siempre conecte la
Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) en la segunda ranura (ranura negra).
● Si la Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) está configurada en el modo de memoria, la relación de capacidad recomendada
de DDR4 a Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) es de 1:4 a 1:16 por iMC.
● Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)La Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) no se puede combinar con otras
capacidades de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) o con NVDIMM.
● No se pueden combinar diferentes capacidades de RDIMM y LRDIMM cuando hay una Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)
instalada.
● Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS)No se permiten Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) de diferentes
capacidades.
● El arranque de VMware ESXi tarda más tiempo cuando la capacidad más alta de Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) está
configurada en el modo de aplicación directa; se trata de limpieza de rango de direcciones (ARS). Esto es esperado, ya que la limpieza
de rangos de direcciones (ARS) en segundo plano se enfoca en los conjuntos de intercalaciones y debe completarse antes de que el
área de almacenamiento de datos de pMem esté montada en ESXi.
● En el modo de aplicación directa (AP), los conectores pueden ocuparse de forma simétrica o asimétrica.
● En el modo de memoria (MM), los conectores pueden ocuparse de modo simétrico.
● El modo de memoria no es compatible con las configuraciones 6 + 1, 8 + 1 y 12 + 2, independientemente de DDR a la tasa de capacidad
de la Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS).
● En un entorno de VMware ESXI, si se cambia el objetivo de BPS entre el modo de aplicación directo y el modo de memoria, se
recomienda limpiar la Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS) antes de crear un nuevo objetivo.
● Ocupe con ranura 1 de DIMM con Memoria persistente Intel de la serie 200 (BPS), a menos que la Memoria persistente Intel de la serie
200 (BPS) sea la única DIMM en ese canal y, a continuación, ocupe la ranura 0 de DIMM.
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Instalación y extracción de componentes del sistema
Configuración
Orden de ocupación
del optimizador (canal
independiente)
Ocupación de la memoria
A{1}, B{1}, A{2}, B{2}, A{3},
B{3}, A{4}, B{4}, A{5}, B{5},
A{6}, B{6}, A{7}, B{7} A{8},
B{8}, A{9}, B{9}, A{10}, B{10},
A{11}, B{11}, A{12}, B{12},
A{13}, B{13}, A{14}, B{14},
A{15}, B{15}, A{16}, B{16}
Información de ocupación
de memoria
Se admiten 2, 4, 8, 12, 16, 24 y
32 DIMM por sistema.
NOTA:
El orden de
ocupación del optimizador
no es el tradicional
para instalaciones de
procesador doble de
8 y 16 módulos DIMM.
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