Vega VEGAPULS 69 Instrucciones De Servicio página 72

11 Anexo
Variación de temperatura - Salida digital ≤ 3 mm/10 K, máx. 10 mm
Las especificaciones se aplican adicionalmente a la salida de corriente
Variación de temperatura - Salida de
corriente
Desviación en la salida de corriente por
la conversión de digital a analógico
Características de medición y datos de rendimiento
Frecuencia de medición
Tiempo del ciclo de medición
Tiempo de respuesta gradual
Ángulo de haz
5)
Ʋ Antena de trompeta plástica
Ʋ Antena de lente engastada en metal
Ʋ Rosca con antena de trompeta
integrada
Potencia emitida de AF (Dependiente de la parametrización)
Ʋ Densidad de potencia de emisión
media espectral
Ʋ Densidad de potencia de emisión
espectral máxima
Ʋ Densidad de potencia máxima a 1 m
de distancia
Condiciones ambientales
Temperatura ambiente, de almacenaje y
de transporte
Condiciones de proceso
Para las condiciones de proceso hay que considerar adicionalmente las especificaciones en la
placa de tipos. Siempre se aplica el valor mínimo.
Temperatura de proceso
Lente de la antena
PEEK
PP
Periodo de tiempo después de la variación repentina de la distancia de medición de 2 m como máx. en aplica-
4)
ciones de sólidos a granel hasta que la señal de salida haya alcanzado por primera vez el 90 % de su valor de
régimen (IEC 61298-2).
Fuera del ángulo de radiación especificado la energía de la señal de radar tiene nivel reducido al 50 % (-3 dB)).
5)
EIRP: Equivalent Isotropic Radiated Power
6)
72
≤ 0,03 %/10 K referido a la gama de 16 mA ó ≤ 0,3 %
< 15 µA
Banda W (dentro de 75 - 85 GHz)
apróx. 700 ms
≤ 3 s
4)
3,5°
4°
7°
-3 dBm/MHz EIRP
+34 dBm/50 MHz EIRP
< 3 µW/cm²
-40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
Junta
FKM (SHS FPM 70C3
GLT)
EPDM (COG AP302)
FKM (SHS FPM 70C3
GLT)
EPDM (COG AP310)
6)
Temperatura de proceso (medida en la conexión
al proceso)
-40 ... +130 °C (-40 ... +266 °F)
-40 ... +200 °C (-40 ... +392 °F)
-40 ... +130 °C (-40 ... +266 °F)
-40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
-40 ... +80 °C (-40 ... +176 °F)
VEGAPULS 69 • De cuatro hilos 4 ... 20 mA/HART