Circuito De Shutdown Térmico; Circuito De Protección De Sobre Voltaje; Aplicación Para La Operación Casi Resonante - Sony BA-5 Manual De Instrucciones

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Chasis BA-5
Figura 4.10 Forma de Onda del voltaje en la
terminal VIN
4.6 Circuito de shutdown térmico.
Este circuito provoca al circuito latch cuando el cuadro de
temperatura del IC híbrido excede 140°C.
La temperatura es actualmente monitoreado por el control del
IC, pero este también trabaja nuevamente sobre calentando
del MOSFET como el MOSFET y el control de IC están
montados en el mismo cuadro de metal.
4.7
Circuito de protección de sobre voltaje.
Este circuito provoca al circuito latch cuando el voltaje en Vin
excede 22.0v.
Aunque esto básicamente funciona como protección de la
terminal Vin nuevamente sobre voltaje, entonces la terminal
Vin es suplida desde el enrollado driver del transformador y
el voltaje es proporcional al voltaje de salida, esto también
previene sobre voltajes en la salida del secundario, lo cual es
causado cuando el circuito de control esta en circuito abierto o
por algún otro evento.
secundario a la vez cuando la protección de sobre voltaje esta
encendida puede ser obtenida desde la siguiente ecuación.
Vout(OVP)=Voltaje de salida Vout en operación normal x
22.5v
4.8 Aplicación para la operación casi resonante.
En las series STR-F6500, los voltajes de umbral de la terminal
OCP/FB (pin1) son provistos en dos estados para la operación
de casi resonancia. Cuando el voltaje de la terminal OCP/FB
esta sobre el voltaje de umbral Vth(1)=0.73v
voltaje de umbral Vth(2), la compuerta 1 interna opera a
realizar la operación PRC con el tiempo de apagado fijo,
(Toff=50 seg.).
Cuando esta sobre el voltaje de umbral Vth(2)=1.37v(máximo
4.5v), la compuerta interna 2 opera para conmutar el tiempo
de apagado alrededor de 1.8 seg. (mínimo). Saber cuando el
voltaje aplicado a la terminal OCP/FB alcanza el voltaje de
umbral Vth(2) y esta sostenido sobre el voltaje de umbral
Vth(1), el MOSFET es mantenido apagado. Un ejemplo del
circuito de suministro de potencia por la operación de casi
resonancia esta mostrado en la figura 4.10. La operación de
casi resonancia es realizada por la proporcionada capacidad
del C4 entre el drenador y el circuito de retardo C3,D4,R3 y
R3´ entre el enrollado driver "D" y la terminal OCP/FB.
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En este caso, el voltaje de salida del
Voltaje de entrada Vin en operación normal
y menor al
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