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Tabla 14. Ocupación de la memoria (continuación)
Tipo de
Módulo DIMM
DIMM
distribuido/canal
NVDIMM-N
1
Reglas de ocupación de NVDIMM
● Un NVDIMM por canal como máximo.
● Seis NVDIMM por procesador como máximo.
● La capacidad máxima por NVDIMM es de 16 GB
No se admiten NVDIMM en las siguientes configuraciones:
● Configuración de 32 unidades SAS/SATA/SSD de 2,5 pulgadas
● Configuración de 16 unidades SAS/SATA/SSD de 2,5 pulgadas con 8 unidades NVME
Pautas generales para la instalación de módulos de memoria
Para garantizar un rendimiento óptimo del sistema, siga las pautas generales a continuación cuando configure la memoria del sistema. Si
las configuraciones de la memoria del sistema no siguen estas pautas, el sistema podría no iniciar, podría dejar de responder durante la
configuración de memoria o podría funcionar con memoria reducida.
La frecuencia de funcionamiento del bus de memoria puede ser de 2933 MT/s, 2666 MT/s, 2400 MT/s o 2133 MT/s en función de los
siguientes factores:
● Perfil de sistema seleccionado (por ejemplo, rendimiento optimizado o personalizado [se puede ejecutar a alta velocidad o menor])
● Velocidad de módulo DIMM máxima compatible de los procesadores. La frecuencia de memoria de 2933 MT/s es compatible con un
DIMM por canal.
● Velocidad de módulo DIMM máxima compatible de los procesadores. Para una frecuencia de memoria de 2933 MT/s, RDIMM soporta
dos DIMM por canal.
● Velocidad máxima compatible de los módulos DIMM
NOTA:
MT/s indica la velocidad del DIMM en Megatransferencias por segundo.
El sistema es compatible con la configuración de memoria flexible, lo que permite configurar y operar el sistema en cualquier configuración
de arquitectura de chipset válida. A continuación, se indican las pautas recomendadas para la instalación de los módulos de memoria:
● Todos los módulos DIMM deben ser DDR4.
● No se pueden combinar módulos RDIMM y LRDIMM.
● No se pueden combinar módulos NVDIMM y LRDIMM.
● Se pueden combinar módulos NVDIMM y RDIMM.
● Los LRDIMM de 64 GB DPP (Dual Die Package) no se pueden combinar con LRDIMM de 128 GB TSV (Through Silicon Via/3DS)
● Pueden combinarse módulos x4 y x8 basados en DRAM.
● Se pueden ocupar hasta dos RDIMM por canal, independientemente del conteo de rangos.
● Se pueden ocupar hasta dos LRDIMM por canal, independientemente del conteo de rangos.
● Se puede ocupar un máximo de dos módulos DIMM de rango diferente en un canal, independientemente del conteo de rangos.
● Si se instalan módulos de memoria con velocidades distintas, todos los módulos funcionarán a la velocidad del módulo de memoria más
lento instalado.
● Ocupe los zócalos de módulos de memoria únicamente si instala un procesador.
○ En sistemas de un procesador, están disponibles los zócalos A1 a A12.
○ En sistemas de doble procesador, están disponibles los conectores de A1 a A12 y de B1 a B12.
● Primero, ocupe todos los zócalos con lengüetas de seguridad blancas y, a continuación, los que tienen lengüetas negras.
● Cuando combine módulos de memoria con distintas capacidades, primero ocupe los zócalos con los módulos de memoria de mayor
capacidad.
NOTA:
Por ejemplo, si desea combinar módulos de memoria de 8 GB y 16 GB, introduzca los módulos de memoria de 16 GB en los
zócalos con lengüetas de seguridad blancas y los módulos de memoria de 8 GB en los zócalos con lengüetas de seguridad negras.
● Se pueden combinar módulos de memoria de distinta capacidad si se siguen otras reglas de utilización de la memoria.
NOTA:
Por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 8 GB y 16 GB.
● En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador debe ser idéntica.
NOTA:
Por ejemplo, si utiliza el conector A1 para el procesador 1, utilice el conector B1 para el procesador 2, y así sucesivamente.
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Instalación y extracción de componentes del sistema
Voltaje
funcionamiento (en
1,2 V
2933, 2666, 2400, 2133
Frecuencia de
Rango/canal DIMM máximo
MT/s)
Rango único
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