Tabla de contenido
G. Frecuencia
RANGO
20 k Hz
* Inductancia probada: Q >=10, resistencia interna <=1,3k Ω .
* Cuando la inductancia probada es >1H, la lectura obtenida es solo para referencia.
* Sensibilidad <=200mV,
H . Temperatura
RANGO
-40ºC - 0ºC
0ºC - 400ºC
400ºC - 1000ºC
•
Protección por sobrecarga: 250V rms .
I. Capacitancia
RANGO
2nF
20nF
2 µF
20 µF
Observaciones:
• La señal de prueba es aproximadamente: 400Hz 40mVrms.
J. Transistores
RANGO RESOLUCIÓN
h FE
1
•Protección por sobrecarga: 250V rms .
RESOLUCIÓN
1 k Hz
RESOLUCIÓN
1 ºC
RESOLUCIÓN
0,000 1 n F
0, 00 1nF
0, 000 1µF
0, 00 1µF
RESOLUCIÓN
El valor de visualización es el
transistor probado (NPN, PNP)
valor más cercano de hFE
(0 - 1000 )
PRECISIÓN
± (1,5%+5)
PRECISIÓN
± ( 3 ,0%+ 40 )
± ( 1 ,0%+3 0 )
± ( 2 ,0%+ 50 )
PRECISIÓN
± ( 3 ,0%+ 40)
± (4,0%+ 10 )
CONDICIONES DE PRUEBA
lbo = 1 0µ A
Vce = 2,8V.
PROTECCIÓN
SOBRECARGA
250V rms
PR OTECCIÓN
SOBRECARGA
250V rms .
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