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protege al amplificador de: cortocircuitos, aún si se producen en
funcionamiento a máxima potencia, baja impedancia, presencia de DC y
sobreelevación de temperatura.
El VN 706 esta construido sobre la estructura de dos disipadores de
fundición de aluminio normalizado en 19' y 4 unidades de rack,
respondiendo normas DIN, SAE, IEC, AFNOR.
El transistor MOSFET
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFECT TRANSISTOR
El transistor MOSFET de potencia es un arreglo de cientos de transistores
integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la
corriente total.
Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores
bipolares presentan limitaciones.
Cada fabricante ha desarrollado su propia tecnología para su integración,
por ello se los conoce como VMOS, UMOS, TMOS, HEXFET, refiríendose con
la primera letra a la geometría del integrado resultante.
Es un dispositivo controlado por tensión, esto quiere decir que la corriente
de drain es función de la tensión de gate. En la figura siguiente se muestra
esta curva característica de tranferencia.
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